半導(dǎo)體加工技術(shù)的核心是光刻技術(shù)，基本的工藝方法是刻蝕上沉積的巧妙結(jié)合.. 基于這種加工方法的微型機(jī)械復(fù)雜性的概念與傳統(tǒng)機(jī)械不同，即它不取決于所包含的部件數(shù)量，也不取決于每個(gè)部件滲透劑的復(fù)雜過程，而是取決于制造過程中所需的加工過程。 那么什么是半導(dǎo)體微加工技術(shù)呢？？ 以下是具體介紹..

1，氧化，摻雜，沉積和

將硅基板置于氧氣發(fā)生或者通過水蒸氣中高溫加熱，其表面工作就會(huì)逐漸形成具有一層厚度可以均勻的氧化膜。水蒸氣中的濕氧化比在干氧中的氧化反應(yīng)速度快。通常采用氧化厚度不超過1微米。除氧化外，在等離子或電解液中亦可影響進(jìn)行研究陽(yáng)極氧化。陽(yáng)極氧化在室溫下就可以得到實(shí)現(xiàn)，氧化膜厚度由鎖甲電壓水平?jīng)Q定。陽(yáng)極氧化能力不僅僅是限于Si，還可以是Al、Ta、Ti等材料上形成良好品質(zhì)發(fā)展優(yōu)良的氧化膜。

摻雜通常是通過擴(kuò)散和粒子注入來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 在微機(jī)械制造中，摻雜自停刻蝕是一種選擇性刻蝕工藝，用于摻雜劑的濃度，留下擴(kuò)散摻雜層。 顆粒注入可以控制剝落膜的楊氏模量和內(nèi)應(yīng)力。

2、 刻蝕

它是形成微機(jī)械技術(shù)的關(guān)鍵蝕刻工藝。其中，所述濕式蝕刻各向同性地蝕刻所述主結(jié)晶各向異性蝕刻和選擇性蝕刻的摻雜濃度;干蝕刻步驟包括等離子蝕刻和蝕刻顆粒，除了積極利用側(cè)蝕刻等在各向異性的犧牲層蝕刻的蝕刻的基礎(chǔ)上開發(fā)的是用于制造復(fù)雜的三維形狀的有效方法。

（1） 濕法刻蝕：在以幾乎沒有相同的速度蝕除基板的露出面的等向性刻蝕中，腐蝕液和掩膜的選擇發(fā)展至關(guān)重要。這種將排名高刻蝕處理方法在鄉(xiāng)下蝕除掩膜下方材料的同時(shí)，亦發(fā)生變化側(cè)面的無(wú)益蝕除。但積極開發(fā)利用自己這種方式側(cè)面刻蝕的犧牲層刻蝕確是我們制作過程復(fù)雜的立體形狀的有效教學(xué)方法。但積極研究利用學(xué)生這種情況側(cè)面刻蝕、犧牲掉下層建筑材料，留取其上沉積的不同學(xué)習(xí)材料層，通過教師巧妙的組合管理能夠制作出更加立體的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。

（2）結(jié)晶異方差刻蝕法：它是一種蝕刻方法，利用加工材料的結(jié)晶表面在不同的蝕刻速率下的特性。 設(shè)計(jì)一定的掩模形狀，使側(cè)蝕量很小，使V形或保持槽可以加工等。

（3）選擇性地蝕刻摻雜濃度：使用性能的蝕刻速度的摻雜濃度，可以選擇性地蝕刻除了特定于要處理的層施加到形成膜剝離。當(dāng)處理的硅，有多個(gè)這樣的蝕刻方法。

（4） 干法技術(shù)刻蝕：是在氣體中利用市場(chǎng)反應(yīng)性氣體、等離子體等進(jìn)行不同刻蝕可以加工的方法。常用一個(gè)等離子體刻蝕和粒子通過刻蝕。

等離子體刻蝕法：是利用反應(yīng)氣體的等離子體重量刻蝕具有高能量的反應(yīng)粒子自由基團(tuán)的方法。 與離子刻蝕相比，雖然它是各向同性刻蝕，但使用相同厚度的掩模可以實(shí)現(xiàn)更深層次的刻蝕處理。 利用微博制作高密度等離子體，刻蝕速度可達(dá)到每分鐘15微米..

B離子，蝕刻：有各向同性蝕刻是不依賴于晶面的工件。然而，通過除了物理作用如Ar離子實(shí)施例的方式不住汽提通過蝕刻產(chǎn)生的動(dòng)能，以及利用反應(yīng)性離子蝕刻速度的提高，有選擇性的化學(xué)和物理作用。后者被稱為反應(yīng)性離子蝕刻，并潤(rùn)濕雖然蝕刻，等離子體蝕刻它們的良好的選擇性方向，通常可以進(jìn)行，但微米深幾十。